01. |
2007 |
完成蓝光 LED 磊芯片与晶粒之开发 |
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02. |
2007 |
完成蓝光 LED 产品之量产与客户认证 |
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03. |
2008 |
完成绿光 LED 磊芯片与晶粒之开发 |
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04. |
2008 |
完成绿光 LED 产品之量产与客户认证 |
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05. |
2008 |
成功开发出表面粗化之高功率(High Power)蓝綠光晶粒 |
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06. |
2008 |
完成覆晶发光二极管 (FC-LED) 技术开发与雏型样品制作 |
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07. |
2009 |
完成红/黄光LED 磊芯片与晶粒之开发 |
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08. |
2009 |
完成红/黄光LED 产品之量产与客户认证 |
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09. |
2009 |
建立覆晶发光二极管 (FC-LED) 高反射率奥姆接触层(High reflective ohmic contact layer)技术 |
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10. |
2009 |
成功开发 AC-12V 蓝光 InGaN LED 晶粒 |
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11. |
2009 |
完成晶圆接合(Wafer bonding)与雷射剥离(Laser Lift-OFF) 技术开发 |
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12. |
2010 |
与工研院合作，完成紫外光 UV LED 先期研究 |
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13. |
2010 |
与中兴大学合作，完成二次翻转垂直结构 LED 晶粒先期开发 |
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14. |
2010 |
成功开发高压HV( High Voltage) 50V InGaN LED 晶粒产品 |
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15. |
2010 |
建立以晶圆结合技术制作之红黄光高功率晶粒，并完成量产 |
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16. |
2011 |
紫外光 UV 380-400nm 磊芯片与晶粒产品开发与量产 |
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17. |
2011 |
红外光 IR 660nm 850nm 磊芯片与晶粒产品开发与量产 |
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18. |
2011 |
高压晶粒 HV Chips 开发与量产 |
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19. |
2011 |
晶粒高反射背镀层技术开发 |
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20. |
2011 |
图型化基板 PSS 技术开发 |
